TRANSISTOR
3.1 Karakteristik Input Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran electron sebagai prinsip kerjanya didalam bahan. Sebuah transistor memiliki tiga daerah doped yaitu daerah emitter, daerah basis dan daerah disebut kolektor. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP. Transistor memiliki dua sambungan: satu antara emitter dan basis, dan yang lain antara kolektor dan basis. Karena itu, sebuah transistor seperti dua buah dioda yang saling bertolak belakang yaitu dioda emitter-basis, atau disingkat dengan emitter dioda dan dioda kolektor-basis, atau disingkat dengan dioda kolektor. Bagian emitter-basis dari transistor merupakan dioda, maka apabila dioda emitter-basis dibias maju maka kita mengharapkan akan melihat grafik arus terhadap tegangan dioda biasa. Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus basis (Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis (Ib) akan naik secara cepat. 3.2 Percobaan Karakteristik Input Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengukur arus basis Ib sebagai fungsi Vbe (karakteristik input transistor). Dari tujuan percobaan diatas, maka langkah-langkah yang harus dilakukan adalah sebagai berikut :
Langkah pertama yaitu gunakan transistor NPN kemudian rangkailah seperti pada Gambar 3.1 dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.
3.1 Karakteristik Input Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran electron sebagai prinsip kerjanya didalam bahan. Sebuah transistor memiliki tiga daerah doped yaitu daerah emitter, daerah basis dan daerah disebut kolektor. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP. Transistor memiliki dua sambungan: satu antara emitter dan basis, dan yang lain antara kolektor dan basis. Karena itu, sebuah transistor seperti dua buah dioda yang saling bertolak belakang yaitu dioda emitter-basis, atau disingkat dengan emitter dioda dan dioda kolektor-basis, atau disingkat dengan dioda kolektor. Bagian emitter-basis dari transistor merupakan dioda, maka apabila dioda emitter-basis dibias maju maka kita mengharapkan akan melihat grafik arus terhadap tegangan dioda biasa. Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus basis (Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis (Ib) akan naik secara cepat. 3.2 Percobaan Karakteristik Input Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengukur arus basis Ib sebagai fungsi Vbe (karakteristik input transistor). Dari tujuan percobaan diatas, maka langkah-langkah yang harus dilakukan adalah sebagai berikut :
Langkah pertama yaitu gunakan transistor NPN kemudian rangkailah seperti pada Gambar 3.1 dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar