Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran electron sebagai prinsip kerjanya didalam bahan. Sebuah transistor memiliki tiga daerah doped yaitu daerah emitter, daerah basis dan daerah disebut kolektor. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP. Transistor memiliki dua sambungan: satu antara emitter dan basis, dan yang lain antara kolektor dan basis. Karena itu, sebuah transistor seperti dua buah dioda yang saling bertolak belakang yaitu dioda emitter-basis, atau disingkat dengan emitter dioda dan dioda kolektor-basis, atau disingkat dengan dioda kolektor. Bagian emitter-basis dari transistor merupakan dioda, maka apabila dioda emitter-basis dibias maju maka kita mengharapkan akan melihat grafik arus terhadap tegangan dioda biasa. Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus basis (Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis (Ib) akan naik secara cepat. 3.2 Percobaan Karakteristik Input Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengukur arus basis Ib sebagai fungsi Vbe (karakteristik input transistor). Dari tujuan percobaan diatas, maka langkah-langkah yang harus dilakukan adalah sebagai berikut :
Langkah pertama yaitu gunakan transistor NPN kemudian rangkailah seperti pada Gambar 3.1 dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.

Setelah diberi sumber tegangan maka akan terbentuk grafik Ib fungsi Vbe pada layar oscilloscope, dapat dilihat pada Gambar 3.2.

Grafik diatas terlihat seperti grafik dioda biasa, hal ini dikarenakan dioda emitter-basis dibias maju sehingga perubahan arus emitter menurut tegangan emitter ke basis akan serupa dengan karakteristik maju dari dioda hubungan p-n.
Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus basis (Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis (Ib) akan naik secara cepat.
Setelah mengetahui karakteristik input transistor NPN, sekarang gunakan transistor PNP dan rangkailah seperti pada Gambar 3.3 dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.

Setelah diberi sumber tegangan maka akan terbentuk grafik Ib fungsi Vbe yang serupa dengan grafik transistor NPN tetapi arahnya berlawanan.
3.3 Karakteristik Output Sebuah transistor memiliki empat daerah operasi yang berbeda yaitu daerah aktif, daerah saturasi, daerah cutoff, dan daerah breakdown. Jika transistor digunakan sebagai penguat, transistor bekerja pada daerah aktif. Jika transistor digunakan pada rangkaian digital, transistor biasanya beroperasi pada daerah saturasi dan cutoff. Daerah breakdown biasanya dihindari karena resiko transistor menjadi hancur terlalu besar. 3.4 Percobaan Karakteristik Output Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengukur arus kolektor Ic sebagai fungsi Vce (karakteristik output)Dari tujuan percobaan diatas, maka langkah-langkah yang harus dilakukan adalah sebagai berikut :
Langkah pertama yaitu gunakan transistor NPN dan rangkailah seperti pada Gambar 3.4 dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.

Setelah diberi sumber tegangan maka akan terbentuk grafik Ic fungsi Vce pada layar oscilloscope, dapat dilihat pada Gambar 3.5.